IBM и Samsung объявили о прорыве в области полупроводниковых технологий

Кoмпaнии IBM и Samsung Electronics сoвмeстнo oбъявили o прoрывe в рaзрaбoткe пoлупрoвoдникoвыx тexнoлoгий, oснoвaннoм нa испoльзoвaнии нoвoй вeртикaльнoй трaнзистoрнoй aрxитeктуры, которая открывает крюк к масштабированию за пределы наноуровня и имеет запас значительного снижения энергопотребления по сравнению с транзисторами FinFET.

Канон Мура, согласно которому количество транзисторов в микросхемах приблизительно удваивается каждые два года, бегло приближается к тому, что считается непреодолимым препятствием.

Исторически транзисторы проектировались приблизительно, чтобы «лежать» на поверхности полупроводникового кристалла, присутствие этом электрический ток течёт в горизонтальном направлении. Новые транзисторы, получившие подзаголовок Vertical Transport Field Effect Transistors, иль VTFET, формируются перпендикулярно поверхности кристалла, и движение в них течёт вверх или внизу.

Процесс VTFET устраняет многие шипы на пути дальнейшему повышению производительности степени интеграции. Спирт также касается контактов транзисторов, позволяя выцарапать больший ток с меньшими потерями энергии. В целом новая тромп нацелена на двукратное улучшение производительности может ли быть на сокращение энергопотребления на 85% за сравнению с FinFET.

В пресс-релизе, посвящённом прорыву, зарегистрировано, что глобальный дефицит полупроводниковой продукции «подчеркнул отрицательно важную роль инвестиций в исследования и разработки микросхем, а равным образом важность микросхем во всем: через вычислений до бытовой техники, устройств маза, транспортных систем и критически важных инфраструктур».

Разрабатывание была выполнена специалистами комплекса Albany Nanotech Complex, тот или другой назван «ведущей в мире экосистемой для того исследований в области полупроводников, создающей монументальный поток инноваций, помогая удовлетворить потребности производства и убыстрить рост мировой индустрии микросхем».

Категория: Обо всем